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2021年将会是半导体技术创新迭代加快，新兴技术迸发涌现的一年。先进工艺上可以看到3nm GAA工艺量产，存储器方面DDR5内存芯片、3D NAND 1XX层都规模化放量，国际上各大NAND厂商（包括中国大陆）都将突破实现1XX层以上的3D NAND关键技术。新技术方面，新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) 的落地商用进程明显，为高性能嵌入式应用提供了一个更有吸引力的选择。

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